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L6385ED013TR价格
参考价格：￥4.7449
型号：L6385ED013TR 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有L6385ED013TR多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，L6385ED013TR批发/采购报价，L6385ED013TR行情走势销售排行榜，L6385ED013TR报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
L6385ED013TR | High-voltage high and low side driver Description The L6385E is an high-voltage device, manufactured with the BCDOFF-LINE technology. It has an Half - Bridge Driver structure that enables to drive independent referenced N Channel Power MOS or IGBT. The High Side (Floating) Section is enabled to work with voltage Rail up to 600V. Th | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
L6385ED013TR | High-voltage high and low side driver Description The L6385E is an high-voltage device, manufactured with the BCDOFF-LINE technology. It has an Half - Bridge Driver structure that enables to drive independent referenced N Channel Power MOS or IGBT. The High Side (Floating) Section is enabled to work with voltage Rail up to 600V. Th | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
L6385ED013TR | 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 集成电路（IC） 栅极驱动器 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
L6385ED013TR产品属性
- 类型
描述
- 型号
L6385ED013TR
- 功能描述
功率驱动器IC HV H-Bridge driver
- RoHS
否
- 制造商
Micrel
- 产品
MOSFET Gate Drivers
- 类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
- 电源电压-最大
30 V
- 电源电压-最小
2.75 V
- 最大工作温度
+ 85 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-8
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
2021+ |
SO-8 |
526 |
||||
ST/意法 |
2023+ |
SOP8 |
4636 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
|||
ST/意法半导体 |
23+ |
SO-8 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
|||
ST |
21+ |
SOP-8 |
8000 |
原装正品现货假一罚十 |
|||
ST |
2016+ |
SOP8 |
7323 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
ST |
17+ |
SOP-8 |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
ST |
SOP8 |
22+ |
10866 |
专营厂家量大可定货 |
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ST/意法半导体 |
2023+ |
SO-8 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
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ST |
18+ |
SOP8 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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ST |
25+ |
3500 |
全新原装现货库存 |
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L6388ED013TR 栅极驱动器
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2025-7-4L6385ED013TR 栅极驱动器
L6385ED013TR 栅极驱动器适用于电机控制、电源转换、逆变器等多种需要高压栅极驱动的应用场景
2024-10-30L6387ED013TR
L6387ED013TR
2023-10-13L6208Q
进口代理
2023-7-20L6353-智能驱动的功率MOS和IGBT的
描述 该L6353设备是智能驱动，所有的驱动和保护知识“已装船“。在这两个DIP和SO封装，可触发的逻辑电平或从一个信号optocoupleror脉冲变压器。它过滤寄生输入信号和驱动器的任何MOSor的IGBT。 特点 峰高输出电流能力(+8A) 宽电源电压范围（12.5至18V的） 0至-7.5V的负偏压电源范围 过电流和饱和度下降保护的外部电源设备（外部可编程） 闭锁保护（IGBT）的 两步开启（可编程） 正电源防护欠压 使用光耦器兼容输入
2013-2-28L6370-2.5A的高边驱动器工业智能功率开关
L6370是一款单片智能功率BCD技术在移动电站开关，驾驶感性或阻性负载。一个内部钳位二极管可以归纳快速退磁负载。 CPU的反馈和广泛的诊断使用电器的保护，使该器件非常坚固耐用，特别适合工业自动化应用。 特点 * 2.5A输出电流 * 9.5V至35V电源VOLTAGERANGE * 内部电流限制 * 热关断 * 空地保护 * 内部负电压钳位，以VS - 50V快速退磁 * 与大共模范围和阈值迟滞差分输入 * UNDERVOLTAGELOCKOUTWITHHYSTERESI
2012-11-13
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