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Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode

General Description The AO4906 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in DC-DC converters. A Schottky diode is co-packaged in parallel with the synchronous

AOSMD

万国半导体

Dual N-Channel MOSFET

■ Features N-Channel 1 ● VDS (V) = 30V ● ID = 8.5 A (VGS = 10V) ● RDS(ON)

KEXIN

科信电子

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

文件:1.09623 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Adjustable RF Inductors

文件:29.55 Kbytes Page:1 Pages

Bourns

伯恩斯

Adjustable RF Inductors

文件:29.55 Kbytes Page:1 Pages

Bourns

伯恩斯

更新时间:2025-12-25 20:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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