型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
---|---|---|---|---|
L2SC3357 | MICROWAVELOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR 文件:309.96 Kbytes Page:2 Pages | LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 | ||
NPNTransistors ■Features ●Lownoiseandhighgain ●Highpowergain ●LargePtot | YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司 | |||
NPNEPITAXIALSILICONRFTRANSISTORFORHIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFICATION3-PINPOWERMINIMOLD FEATURES •Lownoiseandhighgain NF=1.1dBTYP.,Ga=7.5dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz NF=1.8dBTYP.,Ga=9.0dBTYP.@VCE=10V,IC=40mA,f=1GHz •Highpowergain:MAG=10dBTYP.@IC=40mA,f=1GHz •LargePtot:Ptot=1.2W(Mountedon16cm2× | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | |||
NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORPOWERMINIMOLD DESCRIPTION The2SC3357isanNPNsiliconepitaxialtransistordesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband.Ithaslargedynamicrangeandgoodcurrentcharacteristic. FEATURES •LowNoiseandHighGain NF=1.1dBTYP.,Ga=8.0dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz N | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | |||
NPNSiliconRFTransistor Features ●LowNoiseandHighGain NF=1.1dBTYP.,Ga=7.5dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz NF=1.8dBTYP.,Ga=9.0dBTYP.@VCE=10V,IC=40mA,f=1.0GHz ●Highpowergain:MAG=10dBTYP.@IC=40mA,f=1GHz | KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司 | |||
iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •LowNoiseandHighGain NF=1.1dBTYP.,Ga=8.0dBTYP. @VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz NF=1.8dBTYP.,Ga=9.0dBTYP. @VCE=10V,IC=40mA,f=1.0GHz APPLICATIONS •DesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
LRC/乐山 |
21+ |
SOT-23 |
56000 |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
|||
LRC |
09+ |
SOT-23 |
6000 |
||||
LRC/乐山 |
SOT-23 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
LRC-乐山无线电 |
24+25+/26+27+ |
SOT-23.贴片 |
18800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
|||||
LRC(乐山无线电) |
2112+ |
SOT-23 |
105000 |
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
|||
LRC/乐山 |
08+ |
SOT-23 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
LRC/乐山 |
2020+ |
SOT-23 |
24000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
LRC/乐山 |
21+ |
SOT89 |
30000 |
百域芯优势分销LRC 实单必成可开增值税 |
|||
LRC |
22+ |
SOT-23 |
1680 |
原装现货 |
L2SC3357规格书下载地址
L2SC3357参数引脚图相关
- laser
- l9110
- l7812cv
- l7805cv
- l7805
- l76
- l69
- l6599
- l6563
- L6562D
- l6562
- l6561
- l6203
- l603
- l491
- l482
- l478
- l3g4200d
- l393
- l32
- L-304GD
- L-304ED
- L3037QN
- L3037FN
- L3037
- L3030
- L3020
- L3015
- L3012
- L3010
- L3005
- L3000SX
- L3000S
- L3000N
- L3000
- L-300
- L2X8E8
- L2X8E6
- L2X8E5
- L2X8E3
- L2SC4081QT1G_15
- L2SC4081QT1G
- L2SC3838QT1
- L2SC3838QLT3G
- L2SC3838QLT1G
- L2SC3838NLT3G
- L2SC3838NLT1G_15
- L2SC3838NLT1G
- L2SC3838LT3G
- L2SC3838LT1G_15
- L2SC3838LT1G
- L2SC3837T3G
- L2SC3837T1G
- L2SC3837QLT3G
- L2SC3837QLT1G
- L2SC3837LT3G
- L2SC3837LT1G_15
- L2SC3837LT1G_11
- L2SC3837LT1G
- L2SC3837DW1T1
- L2SC3356WT3G
- L2SC3356WT1G_15
- L2SC3356WT1G
- L2SC3356RWT3G
- L2SC3356RWT1G
- L2SC3356RLT3G
- L2SC3356RLT1G
- L2SC3356LT3G
- L2SC3356LT1G_15
- L2SC3356LT1G
- L2SC2412KSMT3G
- L2SC2412KSMT1G_15
- L2SC2412KSMT1G
- L2SC2412KSLT3G
- L2SC2412KSLT1G
- L2SC2412KRMT3G
- L2SC2412KRMT1G_15
- L2SC2412KRMT1G
- L2SC2412KRLT3G
- L2SC2412KRLT1G_15
- L2-R82
- L2-R68
- L2-R56
- L2-R47
- L2-R39
- L2-R33
- L2-R27
- L2-R22
- L2-R18
- L2-R15
- L2-R12
- L2-R10
- L2N60P
- L2N60I
- L2N60F
- L2N60D
- L2N600
- L2N60
- L2N5401
- L2N3904
L2SC3357数据表相关新闻
L298P013TR
L298P013TR
2023-11-24L3G4200DTR LGA-16 运动与定位传感器 电子元器件配单 全新原装
L3G4200DTRLGA-16运动与定位传感器电子元器件配单全新原装
2023-3-29L3100B 其他被动元件
L3100B其他被动元件ST/意法
2023-2-10L298N马达/运动/点火控制器和驱动器
L298N马达/运动/点火控制器和驱动器原装现货
2022-1-20L293-翻两番半-H的驱动程序
配备UnitrodeL293和L293D产品现在从德州仪器宽电源电压范围:4.5V至36V独立的输入逻辑电源内部ESD保护热关断高噪声免疫输入功能类似SGS的L293和SGS的L293D输出电流每通道1(600L293D毫安)峰值输出电流2每个通道(1.2L293D一)电感式输出钳位二极管瞬态抑制(L293D)描述/订购信息在L293和L293D是四高电流半-H的驱动程序
2013-2-8L387-非常低的压差带复位5V稳压器
特点.PRECISEOUTPUT电压(5V±4%).很LOWDROPOUT电压.输出电流为500mA上电,断电信息过剩(复位功能)上电复位延迟高抗干扰.电容器该L387A是一个非常低的压差电压调节器在aPentawatt[包专门设计提供稳定的5V电源,消费和工业应用。其极低的输入/谢谢输出电压降本设备是非常有用的在电池供电设备,降低消耗并延长电池寿命。复位输出使L387A特别适合微处理器系统。该输出提供了复位信号通电时(在外部可编程延时)和变低时切断电源,抑制微处理器。一个上电复位延迟电容滞后引发免
2013-1-24
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80