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MJD112L数据手册规格书PDF详情
MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN
BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.
FEATURES
• High DC Current Gain.
: hFE=1000(Min.), VCE=4V, IC=1A.
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage.
• Straight Lead (IPAK, L Suffix)
• Complementary to MJD117/L.
更新时间：2025-11-27 11:10:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
KEC |
23+ |
TO251 |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
KEC |
25+ |
IPAK(1) |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ST/意法 |
22+ |
TO-252 |
18811 |
||||
ON |
05+ |
原厂原装 |
5451 |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
MOT |
24+ |
800 |
|||||
ONSEMICONDU |
24+ |
原厂封装 |
1800 |
原装现货假一罚十 |
|||
MOTOROL |
25+ |
TO252 |
997 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
MOTOROLA |
24+ |
TO252 |
5000 |
只做原装公司现货 |
|||
ON |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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