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MJD112-251中文资料

厂家型号

MJD112-251

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2

功能描述

Silicon NPN Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

MJD112-251数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·High DC current gain

·Lead formed for surface mount applications

·Built-in a damper diode at E-C

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for general purpose amplifier

and low speed switching applications.

更新时间:2025-10-13 11:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
23+
TO-252
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
CJ/长晶
24+
TO-251
60000
全新原装现货
ON
24+
2475
ON
1728+
?
7500
只做原装进口,假一罚十
ONSemiconductor
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
ON
23+
TO-252
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
ON
2018+
D-PAK
26976
代理原装现货/特价热卖!
ON-S
三年内
1983
只做原装正品
ON
23+
NA
3000
原装现货 库存特价/长期供应元器件代理经销
ON
20+
SMD
11520
特价全新原装公司现货

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