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KSM10N60

Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS

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KERSEMI

600V N-Channel MOSFET

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KERSEMI

10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching a

UTC

友顺

N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET

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10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WXDH

东海半导体

10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

更新时间:2026-1-2 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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  • KSE13003H2ASTU

    KSE13003H2ASTU

    2024-1-10
  • KSP44T

    KSP44T

    2024-1-10
  • KSZ8001LI-TR

    进口代理

    2022-10-10
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    2020-10-20
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    2020-6-22