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KSH50-251

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 400V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.5V(Max) @IC= 1A APPLICATIONS · General purpose amplifier · Low speed switching applications

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无锡固电

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ALLIED

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更新时间:2025-11-23 23:00:00
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