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KSD261晶体管资料

  • KSD261别名：KSD261三极管、KSD261晶体管、KSD261晶体三极管

  • KSD261生产厂家：韩国三星公司

  • KSD261制作材料：Si-NPN

  • KSD261性质：低频或音频放大 （LF）_通用 （G）

  • KSD261封装形式：直插封装

  • KSD261极限工作电压：

  • KSD261最大电流允许值：0.5A

  • KSD261最大工作频率：<1MHZ或未知

  • KSD261引脚数：3

  • KSD261最大耗散功率：

  • KSD261放大倍数：

  • KSD261图片代号：A-31

  • KSD261vtest：0

  • KSD261htest：999900

  • KSD261atest：0.5

  • KSD261wtest：0

  • KSD261代换 KSD261用什么型号代替：BC361,

KSD261价格

参考价格：￥0.1746

型号：KSD261CGTA 品牌：Fairchild 备注：这里有KSD261多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，KSD261批发/采购报价，KSD261行情走势销售排行榜，KSD261报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
KSD261

Low Frequency Power Amplifier

Low Frequency Power Amplifier • Complement to KSA643 • Collector Power Dissipation : PC=500mW • Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)

FAIRCHILD

仙童半导体

KSD261

NPN (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER)

Low Frequency Power Amplifier • Complement to KSA643 • Collector Power Dissipation : PC=500mW

SAMSUNG

三星

KSD261

NPN Epitaxial Silicon Transistor

•KSA643的补充器件\n•集电极损耗： PC = 500mW\n•后缀“-C”表示中心集电极（1. 发射极 2. 集电极 3. 基极）低频功率放大器;

ONSEMI

安森美半导体

KSD261

Low Frequency Power Amplifier

文件：44.59 Kbytes Page：4 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

KSD261

NPN Epitaxial Silicon Transistor

文件：40.69 Kbytes Page：4 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

KSD261CGBU

Low Frequency Power Amplifier

Low Frequency Power Amplifier • Complement to KSA643 • Collector Power Dissipation : PC=500mW • Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)

FAIRCHILD

仙童半导体

KSD261CGTA_NL

Low Frequency Power Amplifier

Low Frequency Power Amplifier • Complement to KSA643 • Collector Power Dissipation : PC=500mW • Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)

FAIRCHILD

仙童半导体

KSD261CYBU

Low Frequency Power Amplifier

Low Frequency Power Amplifier • Complement to KSA643 • Collector Power Dissipation : PC=500mW • Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)

FAIRCHILD

仙童半导体

KSD261CYTA

Low Frequency Power Amplifier

Low Frequency Power Amplifier • Complement to KSA643 • Collector Power Dissipation : PC=500mW • Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)

FAIRCHILD

仙童半导体

KSD261G

Low Frequency Power Amplifier

Low Frequency Power Amplifier • Complement to KSA643 • Collector Power Dissipation : PC=500mW • Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)

FAIRCHILD

仙童半导体

KSD261GBU

Low Frequency Power Amplifier

Low Frequency Power Amplifier • Complement to KSA643 • Collector Power Dissipation : PC=500mW • Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)

FAIRCHILD

仙童半导体

KSD261GTA

Low Frequency Power Amplifier

Low Frequency Power Amplifier • Complement to KSA643 • Collector Power Dissipation : PC=500mW • Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)

FAIRCHILD

仙童半导体

KSD261O

Low Frequency Power Amplifier

Low Frequency Power Amplifier • Complement to KSA643 • Collector Power Dissipation : PC=500mW • Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)

FAIRCHILD

仙童半导体

KSD261R

Low Frequency Power Amplifier

Low Frequency Power Amplifier • Complement to KSA643 • Collector Power Dissipation : PC=500mW • Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)

FAIRCHILD

仙童半导体

KSD261Y

Low Frequency Power Amplifier

Low Frequency Power Amplifier • Complement to KSA643 • Collector Power Dissipation : PC=500mW • Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)

FAIRCHILD

仙童半导体

KSD261YBU

Low Frequency Power Amplifier

Low Frequency Power Amplifier • Complement to KSA643 • Collector Power Dissipation : PC=500mW • Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)

FAIRCHILD

仙童半导体

KSD261YTA

Low Frequency Power Amplifier

Low Frequency Power Amplifier • Complement to KSA643 • Collector Power Dissipation : PC=500mW • Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)

FAIRCHILD

仙童半导体

KSD261_04

NPN Epitaxial Silicon Transistor

文件：40.69 Kbytes Page：4 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

KSD261CGTA

Low Frequency Power Amplifier

文件：44.59 Kbytes Page：4 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

KSD261CYBU

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 包装：带盒（TB） 描述：TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

KSD261GTA

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 包装：带盒（TB） 描述：TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MI-261-IX

Military DC-DC Converters 50 to 100W

Military DC-DC Converters 50 to 100W Features Inputs: 28Vdc per MIL-STD-704D/E 155Vdc per MIL-STD-1399A 270Vdc per MIL-STD-704D/E Single output: 2 – 48Vdc Up to 23W/in3 MIL-STD-810 environments Up to 90 efficiency Remote sense Current limit OVP a

VICOR

MI-261-MY

Military DC-DC Converters 50 to 100W

Military DC-DC Converters 50 to 100W Features Inputs: 28Vdc per MIL-STD-704D/E 155Vdc per MIL-STD-1399A 270Vdc per MIL-STD-704D/E Single output: 2 – 48Vdc Up to 23W/in3 MIL-STD-810 environments Up to 90 efficiency Remote sense Current limit OVP a

VICOR

NTE261

Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier

Description: The NTE261 (NPN) and NTE262 (PNP) are complementary silicon Darlington power transistors in a TO220 type package designed for general purpose amplifier and low–speed switching applications. Features: • High DC Current Gain: hFE = 2500 Typ @ IC = 4A • Collector–Emitter Su

NTE

SMTPB261

TRISILTM

DESCRIPTION The SMTPBxx series has been designedto protect telecommunication equipment against lightning and transient induced by AC power lines. FEATURES BIDIRECTIONAL CROWBAR PROTECTION. BREAKDOWNVOLTAGE RANGE: From 62 V To 270 V. HOLDING CURRENT: IH= 150 mA min REPETITIVE PE

STMICROELECTRONICS

意法半导体

LM261

High Speed Differential Comparators

文件：271.15 Kbytes Page：10 Pages

NSC

国半

KSD261产品属性

  • 类型

    描述

  • Compliance：

    Pb-free

  • Status：

     Active  

  • Description：

     NPN Epitaxial Silicon Transistor 

  • Polarity：

    NPN

  • Type：

    General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)：

    Condition

  • IC Cont. (A)：

    0.5

  • VCEO Min (V)：

    20

  • VCBO (V)：

    40

  • VEBO (V)：

    5

  • hFE Min：

    Condition

  • hFE Max：

    Condition

  • PTM Max (W)：

    0.5

  • Package Type：

    TO-92-3 LF

KSD261供应商更多...

更新时间：2026-5-14 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
KSD261CGTA
onsemi(安森美)
25+
TO-92-3
22360
样件支持,可原厂排单订货!
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
KSD261CGTA
onsemi(安森美)
25+
TO-92-3
22412
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
询价
深圳市安罗世纪电子有限公司
KSD261YBU
FAIRCHILD
2023+
SMD
3762
安罗世纪电子只做原装正品货
询价
芯有半导体（深圳）有限公司
KSD261C-O
06+
原厂原装
2051
只做全新原装真实现货供应
询价
深圳市明盛嘉电子科技有限公司
KSD261CGTA
ONSEMI/安森美
26+
NA
43600
全新原装现货,假一赔十
询价
深圳市一线半导体有限公司
KSD261-Y
三星仙童
24+
49000
询价
深圳市正迈科技有限公司
KSD261GBU
FSC/ON
23+
原包装原封 □□
9000
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存
询价
深圳市纳立科技有限公司
KSD261CGTA
三年内
1983
只做原装正品
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深圳市安富世纪电子有限公司
KSD261CGTA
FAIRCHILD/仙童
20+
TO-92
1120
现货很近!原厂很远!只做原装
询价
深圳市河锋鑫科技有限公司
KSD261CGTA
FAIRCHILD/仙童
2022+
TO-92
1220
原厂代理 终端免费提供样品
询价

KSD261芯片相关品牌

KSD261规格书下载地址

KSD261参数引脚图相关

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    2024-3-5

  • KSE13003H2ASTU

    KSE13003H2ASTU

    2024-1-10

  • KS7221D原装现货

    KS7221D原装正品

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    標準LED - 表面貼裝(SMD) RGB LED DISPLIX P3333標準LED - 表面貼裝(SMD) RGB LED DISPLIX P3333

    2020-12-16

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    2020-10-20

  • KSD9700 250V

    KSD9700 250V

    2020-6-22

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