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KSD261GTA中文资料

厂家型号

KSD261GTA

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4

功能描述

Low Frequency Power Amplifier

两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor

数据手册

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生产厂商

FAIRCHILD

KSD261GTA数据手册规格书PDF详情

Low Frequency Power Amplifier

• Complement to KSA643

• Collector Power Dissipation : PC=500mW

• Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)

KSD261GTA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    KSD261GTA

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-2-9 8:48:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
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