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NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description The4606usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thecomplementary MOSFETsmaybeusedtoformalevelshiftedhighside switch,andforahostofotherapplications. GeneralFeatures ●N-Channel VDS=30V,ID=6.9A RDS(ON)

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

TUOFENG

HighQ,highself-resonantfrequency

SpecialFeatures •HighQ,highself-resonant frequency •Highvoltageapplication •Singlelayeror3-piuniversal wound •Lowcost •Varnishcoated •Operatingtemperature: phenolic-55to+125°C iron&ferrite-55to+105°C •Currenttocause35°Cmaximum temperaturerise

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ETC

TUBEAXIAL

EBMPAPST

ebm-papst

EBMPAPST

Binaryreductionvalve

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FESTOFesto Corporation.

费斯托公司德国FESTO费斯托(中国)有限公司

FESTO

N-andP-Channel30V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-6-16 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SIP62.54mm
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NA
98000
BOURNS/伯恩斯
22+
NA
163440
原装正品现货,可开13个点税
BOURNS/伯恩斯
6P3
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5000
全新原装现货 样品可售

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