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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
KMB4D0N30SA	N-Ch Trench MOSFET This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainly suitable for portable for portable equipment and SMPS.	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KMB4D0N30SA	SOT-23 PACKAGE 文件：20.34 Kbytes Page：1 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KMB4D0N30SA	General Trench MOSFETs, SOT-23, 30V, 4A	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KMB4D0N30SA_08	SOT-23 PACKAGE 文件：20.34 Kbytes Page：1 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KMB4D0N30SA_15	N-Ch Trench MOSFET 文件：764.3 Kbytes Page：5 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC

KMB4D0N30SA供应商更多...

更新时间：2026-3-2 11:18:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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KLMBG2JETD-B041中文资料三星存储芯片现货供应中文资料PDF
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2022-12-28
KLUCG4J1ZD-B0CP
KLUCG4J1ZD-B0CP RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1ED-B0C1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN KLUCG4J1ZD-B0CQ RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1BB-B0B1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN TYD0GH121661RA 内存芯片 MICRON/美光 2019+ BGA TYD0GH121661RA MICRON/美光 2019+ BGA LM317K MICRON/美光 2020 BGA MMZ0603D560CT000 MICRON/美光
2021-5-26
KNP1/2W-10Ω±5% T
属性参数值商品目录绕线电阻功率 1/2W 精度 ±5%_ 阻值（欧姆） 10
2020-9-8
KNP1/2W-100Ω±5% T
属性参数值商品目录绕线电阻功率 1/2W 精度 ±5%_ 阻值（欧姆） 100
2020-9-8
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LBT676-K2E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LB T676-K2 E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
2019-12-8
KMRX1000BM-B614三星SAMSUNG存储器价格PDF资料中文资料
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2019-2-19