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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
KM681000CLI	128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM 文件：191.57 Kbytes Page：10 Pages	Samsung 三星	Samsung
KM681000	128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM 文件：192.68 Kbytes Page：11 Pages	Samsung 三星	Samsung
KM681000CLI-L	128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM 文件：191.57 Kbytes Page：10 Pages	Samsung 三星	Samsung
KM681000B	128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM 文件：192.68 Kbytes Page：11 Pages	Samsung 三星	Samsung
KM681000BL	128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM 文件：192.68 Kbytes Page：11 Pages	Samsung 三星	Samsung
681000	128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM FEATURES ¡Ü Process Technology : 0.6§ CMOS ¡Ü Organization : 128Kx8 ¡Ü Power Supply Voltage : Single 5.0V ¡¾ 10% ¡Ü Low Data Retention Voltage : 2V(Min) ¡Ü Three state output and TTL Compatible ¡Ü Package Type : JEDEC Standard 32-DIP, 32-SOP, 32-TSOP I R/F The KM681000B family is fa	SYC	SYC
BTW681000	HIGH SURGE CAPABILITY DESCRIPTION The BTW 68 (N) Family of Silicon Controlled Rectifiers uses a high performance glass passivated technology. This general purpose Family of Silicon Controlled Rectifiers is designed for power supplies up to 400Hz on resistive or inductive load. FEATURES .HIGH SURGE CAPABILITY	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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更新时间：2025-12-25 16:23:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市能元时代电子有限公司	KM681000CLP-7	SAMSUNG	23+	DIP-32P	12800	##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术	询价
标准国际(香港)有限公司	KM681000CLP-5L	Samsung	25+		4	公司优势库存热卖中!!	询价
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深圳市昊创电子有限公司	KM681000CLP	SAMSUNG/三星		DIP	1131	优势库存	询价
深圳市亿联芯电子科技有限公司	KM681000CLP-5L	SAMSUNG/三星	2023+	DIP32	1540	十五年行业诚信经营,专注全新正品	询价
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深圳市东来宝电子科技有限公司	KM681000CLP-5L	SAMSUNG/三星	24+	DIP32	54000	郑重承诺只做原装进口现货	询价
深圳市诺美思科技有限公司	KM681000CLP-7	SAMSUNG/三星		原厂封装	9800	原装进口公司现货假一赔百	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	KM681000CLP-7L	SEC	23+	DIP-32	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市一线半导体有限公司	KM681000CLP-5	SAMSUNG	24+	DIP	100		询价

KLMBG2JETD-B041中文资料三星存储芯片现货供应中文资料PDF
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2022-12-28
KLMBG2JENB-B041特价销售三星内存
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2022-10-27
KLUCG4J1ZD-B0CP
KLUCG4J1ZD-B0CP RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1ED-B0C1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN KLUCG4J1ZD-B0CQ RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1BB-B0B1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN TYD0GH121661RA 内存芯片 MICRON/美光 2019+ BGA TYD0GH121661RA MICRON/美光 2019+ BGA LM317K MICRON/美光 2020 BGA MMZ0603D560CT000 MICRON/美光
2021-5-26
KNP1/2W-100Ω±5% T
属性参数值商品目录绕线电阻功率 1/2W 精度 ±5%_ 阻值（欧姆） 100
2020-9-8
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LBT676-K2E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LB T676-K2 E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
2019-12-8
KMRX1000BM-B614三星SAMSUNG存储器价格PDF资料中文资料
KMRX1000BM-B614 原装现货低价出售
2019-2-19