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KM681000	128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM 文件：192.68 Kbytes Page：11 Pages	Samsung 三星	Samsung
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KM681000BL	128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM 文件：192.68 Kbytes Page：11 Pages	Samsung 三星	Samsung
681000	128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM FEATURES ¡Ü Process Technology : 0.6§ CMOS ¡Ü Organization : 128Kx8 ¡Ü Power Supply Voltage : Single 5.0V ¡¾ 10% ¡Ü Low Data Retention Voltage : 2V(Min) ¡Ü Three state output and TTL Compatible ¡Ü Package Type : JEDEC Standard 32-DIP, 32-SOP, 32-TSOP I R/F The KM681000B family is fa	SYC	SYC
BTW681000	HIGH SURGE CAPABILITY DESCRIPTION The BTW 68 (N) Family of Silicon Controlled Rectifiers uses a high performance glass passivated technology. This general purpose Family of Silicon Controlled Rectifiers is designed for power supplies up to 400Hz on resistive or inductive load. FEATURES .HIGH SURGE CAPABILITY	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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更新时间：2025-12-30 17:49:02

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KLMBG2JETD-B041中文资料三星存储芯片现货供应中文资料PDF
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2022-12-28
KLMBG2JENB-B041特价销售三星内存
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2022-10-27
KLUCG4J1ZD-B0CP
KLUCG4J1ZD-B0CP RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1ED-B0C1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN KLUCG4J1ZD-B0CQ RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1BB-B0B1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN TYD0GH121661RA 内存芯片 MICRON/美光 2019+ BGA TYD0GH121661RA MICRON/美光 2019+ BGA LM317K MICRON/美光 2020 BGA MMZ0603D560CT000 MICRON/美光
2021-5-26
KNP1/2W-100Ω±5% T
属性参数值商品目录绕线电阻功率 1/2W 精度 ±5%_ 阻值（欧姆） 100
2020-9-8
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LBT676-K2E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LB T676-K2 E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
2019-12-8
KMRX1000BM-B614三星SAMSUNG存储器价格PDF资料中文资料
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2019-2-19