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KM641003C-12	256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating) 文件：127.92 Kbytes Page：8 Pages	Samsung 三星	Samsung
KM641003C-15	256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating) 文件：127.92 Kbytes Page：8 Pages	Samsung 三星	Samsung
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KM641003A	256Kx4 High Speed Static RAM(5V Operating), Revolutionary Pin out Operated at Commercial and Industrial Temperature Range 文件：123.4 Kbytes Page：8 Pages	Samsung 三星	Samsung
KM641003B	256Kx4 Bit (with OE) High Speed Static RAM(5.0V Operating), Revolutionary Pin out 文件：130 Kbytes Page：8 Pages	Samsung 三星	Samsung

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更新时间：2025-11-20 16:04:00

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KLMBG2JETD-B041中文资料三星存储芯片现货供应中文资料PDF
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2022-12-28
KLMBG2JENB-B041特价销售三星内存
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2022-10-27
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KLUCG4J1ZD-B0CP RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1ED-B0C1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN KLUCG4J1ZD-B0CQ RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1BB-B0B1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN TYD0GH121661RA 内存芯片 MICRON/美光 2019+ BGA TYD0GH121661RA MICRON/美光 2019+ BGA LM317K MICRON/美光 2020 BGA MMZ0603D560CT000 MICRON/美光
2021-5-26
KNP1/2W-100Ω±5% T
属性参数值商品目录绕线电阻功率 1/2W 精度 ±5%_ 阻值（欧姆） 100
2020-9-8
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LBT676-K2E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LB T676-K2 E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
2019-12-8
KMRX1000BM-B614三星SAMSUNG存储器价格PDF资料中文资料
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2019-2-19