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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 296A, RDS(ON) typ = 1.6mW @VGS = 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TOLL package. RoHS compliant. DC/DC Converter Applications

CET-MOS

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更新时间:2026-3-16 9:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TAIYO/太诱
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SMD
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TAIYO/太诱
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