型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
KDS200

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING)

ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. FEATURES • Low Forward Voltage : VF=0.92V (Typ.) • Fast Reverse Recovery Time : trr=1.6ns (Typ.) • Small Total Capacitance : CT=2.2pF (Typ.)

KEC

KEC(Korea Electronics)

KDS200

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING)

KEC

KEC(Korea Electronics)

100/200

文件:3.83844 Mbytes Page:2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Bulk Metal® Foil Technology Conformally Coated Precision Current Sensing Resistors with TCR of 5 ppm/°C and values down to 5 mΩ

文件:105.62 Kbytes Page:4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

TOGGLE SWITCHES - SUB MINIATURE

文件:718.4 Kbytes Page:5 Pages

E-SWITCH

Easy Identification and Tracing with 10-color Cable

文件:1.18408 Mbytes Page:2 Pages

ARIES

Resistant to tears and punctures

文件:225.28 Kbytes Page:2 Pages

LSTD

莱尔德

KDS200产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    KDS200

  • 制造商

    KEC

  • 制造商全称

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述

    SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(ULTRA HIGH SPEED SWITCHING)

更新时间:2025-11-26 18:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SYNERGY
24+
SMD
3000
SYNERGY专营射频芯片现货原装正品专营品牌
KODENSHI
21+
50
只做原装鄙视假货15118075546
SYNERGY
原厂封装
869
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
KODENSHI AUK
13+
SOP4
500
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
KEC
6000
面议
19
DIP/SMD
KEC
2023+
TO-92M
5800
进口原装,现货热卖
ApexToolGroup/CooperTool
5
全新原装 货期两周
KEC
24+
TO-92S
49000
SYNERGY
24+
SMD
3200
进口原装假一赔百
SYNERGY
2318+
原装正品
4285
十年专业专注 优势渠道商正品保证

KDS200数据表相关新闻

  • KD3005D

    优势渠道

    2023-6-1
  • KCT8223H

    KCT8223H

    2023-3-20
  • KDV12FR150ET

    KDV12FR150ET

    2022-10-20
  • KEC,ST大量现货

    TPS59632QRHBRQ1

    2021-7-29
  • KEC,ST大量现货

    KEC,ST大量现货 需要加我QQ微信

    2021-7-23
  • KD2008-CG50A-紧凑型中速厚膜热敏打印头

    KD2008- CG50A是合适的,需要热的设备,如高速的POS机和标签打印机应用 能够打印头印刷率较高。改进的电源电路设计手段较重的电流,它是可能的 打印速度高达125毫米/秒的高GK系列标签打印机,需要很高的印刷速度,从而为理想。 KD2008-CG50A的特点 1)使用一个特殊的紧凑型偏釉和新的加热元件结构,达到125毫米/秒的高速打印 2)使用新开发的高度耐用的导电保护膜,对改善对策静电。 3)电源电路的VH和GND部分得到了加强,使较重目前可以应用。 4)超小型连接器,设计符合FFCS,

    2012-11-9