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KBU1007G

Single Phase 10 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers

FEATURES - Glass passivated junction - Ideal for printed circuit board - High case dielectric strength - Typical IR less than 0.1μA - High surge current capability - UL Recognized File # E-326243 - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free a

TSC

台湾半导体

KBU1007G

Single Phase 10 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers

[TSC] Voltage Range 50 to 1000 Volts Current 10.0 Amperes Features ♦ UL Recognized File # E-96005 ♦ Glass passivated junction ♦ Ideal for printed circuit board ♦ Reliable low cost construction ♦ Plastic material has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 ♦ Surge overload

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

KBU1007G

封装/外壳:4-SIP,KBU 包装:管件 描述:BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A KBU 分立半导体产品 二极管 - 桥式整流器

TSC

台湾半导体

KBU1007G

10A, 1000V, Standard Bridge Rectifier

TSC

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KBU1007G

Glass Passivated Bridge Rectifiers

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KBU1007G

Single Phase 10 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers

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Single Phase 10 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers

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KBU1007G

Single Phase 10.0AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers

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TSC

台湾半导体

封装/外壳:4-SIP,KBU 包装:管件 描述:BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A KBU 分立半导体产品 二极管 - 桥式整流器

TSC

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Glass Passivated Bridge Rectifiers

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Glass Passivated Bridge Rectifiers

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TSC

台湾半导体

PHASE CONTROL THYRISTOR

PHASE CONTROL THYRISTOR Repetitive voltage up to 2400 V Mean on-state current 1270 A Surge current 19 kA

POSEICO

Photo Interrupter

Photo Interrupter For contactless SW, object detection Overview CNA1007H is a transmissive photosensor in which a high efficiency GaAs infrared light emitting diode is used as the light emitting element, and a high sensitivity phototransistor is used as the light detecting element. The two elem

PANASONIC

松下

uP Compatible, Double-Buffered D to A Converters

文件:369.16 Kbytes Page:22 Pages

NSC

国半

uP Compatible, Double-Buffered D to A Converters

文件:369.16 Kbytes Page:22 Pages

NSC

国半

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

文件:38.41 Kbytes Page:2 Pages

POLYFET

KBU1007G产品属性

  • 类型

    描述

  • VRRM (V):

    1000

  • IF(AV) (A):

    10

  • IFSM (A):

    200

  • IR (µA):

    5

  • VF (V):

    1.1

  • Status:

    Active

  • AEC-Q:

    No

  • TJ Max. (°C):

    150

  • Family:

    Standard

  • MSL:

    NA

更新时间:2026-8-4 9:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
捷捷微
24+
KBU
50000
只做原装,欢迎询价,量大价优
GeneSiC Semiconductor
22+
KBU
9000
原厂渠道,现货配单
23+
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
GeneSiC
25+
电联咨询
7800
公司现货,提供拆样技术支持
捷捷微
25+
KBU
50000
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十
26+
N/A
62000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
PANJIT
20+
KBU
36800
原装优势主营型号-可开原型号增税票
TaiwanSemiconductor
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
tsc
25+
500000
行业低价,代理渠道
Taiwan Semiconductor Corporati
25+
4-SIP KBU
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

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