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KBP2005G_V01

2.0AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER

FeaturesandBenefits GlassPassivatedDieConstruction HighCaseDielectricStrengthof1,500VRMS LowReverseLeakageCurrent SurgeOverloadRatingto65APeak IdealforPrintedCircuitBoardApplications ULListedUnderRecognizedComponentIndex,FileNumber E94661 Lead-F

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES
KBP2005G_V01

SINGLEPHASE2.0AMPGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER

Features Glasspassivateddieconstruction Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Plasticmaterial-ULflammability94V-0 ThisisaPb−FreeDevice AllSMCpartsaretraceabletothewaferlot Additionaltestingcanbeoffereduponre

SMCDIODESMC Diode Solutions

桑德斯微电子器件(南京)有限公司

SMCDIODE
KBP2005G_V01

GlassPassivatedBridgeRectifiers

文件:395.18 Kbytes Page:3 Pages

HYyueqing hongyi electronics co.,ltd

宏一乐清市宏一电子有限公司

HY
KBP2005G_V01

BRIDGERECTIFIERS

文件:1.60892 Mbytes Page:2 Pages

JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd.

广东钜兴电子广东钜兴电子科技有限公司

JUXING
KBP2005G_V01

SinglePhaseGlassPassivatedSiliconBridgeRectifier

文件:617.05 Kbytes Page:3 Pages

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

GENESIC
更新时间:2024-4-26 18:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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