型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
K9S1208V0

64MB & 128MB SmartMediaTM Card

GENERAL DESCRIPTION Offered in 128Mx8bit or 64Mx16bit, the K9F1GXXX0M is 1G bit with spare 32M bit capacity. Its NAND cell provides the most cost effective solution for the solid state mass storage market. A program operation can be performed in typical 300ms on the 2112-byte(X8 device) or 1056-w

Samsung

三星

K9S1208V0

64MB & 128MB SmartMediaTM Card

Samsung

三星

64MB & 128MB SmartMediaTM Card

GENERAL DESCRIPTION Offered in 128Mx8bit or 64Mx16bit, the K9F1GXXX0M is 1G bit with spare 32M bit capacity. Its NAND cell provides the most cost effective solution for the solid state mass storage market. A program operation can be performed in typical 300ms on the 2112-byte(X8 device) or 1056-w

Samsung

三星

64MB & 128MB SmartMediaTM Card

GENERAL DESCRIPTION Offered in 128Mx8bit or 64Mx16bit, the K9F1GXXX0M is 1G bit with spare 32M bit capacity. Its NAND cell provides the most cost effective solution for the solid state mass storage market. A program operation can be performed in typical 300ms on the 2112-byte(X8 device) or 1056-w

Samsung

三星

64M x 8 Bit SmartMedia Card

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Samsung

三星

64M x 8 Bit SmartMedia Card

Samsung

三星

K9S1208V0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K9S1208V0

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    64MB & 128MB SmartMediaTM Card

更新时间:2025-11-20 19:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG
24+
TSOP
20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
00+
1350
全新原装进口自己库存优势
SAMSUNG/三星
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
SAMSUNG/三星
23+
TSOP48
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
SAMSUNG/三星
TSOP48
125000
一级代理原装正品,价格优势,长期供应!
SAMSUNG
22+
TSSOP
5000
只做原装鄙视假货15118075546
SAMSUNG/三星
21+
TSSOP
2000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票
SAMSUNG
22+
TSOP-54
8000
原装正品支持实单
SAMSUNG/三星
2403+
TSOP48
6489
原装现货热卖!十年芯路!坚持!
SAMSUNG
6000
面议
19
TSOP

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    2021-5-20
  • K9F8G08U0M-PCBO

    K9F8G08U0M-PCBO,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-9-24
  • K9PMGD8S2M-TCK0

    制造商IC编号 K9PMGD8S2M-TCK0 厂牌 SAMSUNG/三星 IC 类别 IC代码 产品详情 脚位/封装 外包装 无铅/环保 含铅 电压(伏) 温度规格 速度 标准包装数量 标准外箱 潜在应用

    2020-7-1
  • KA1M0265-飞兆功率开关(FPS)

    说明 飞兆半导体的功率开关(FPS)产品系列是专门设计用于离线开关电源用最少的外部组件。飞兆半导体的功率开关(FPS)的组成高压值SenseFET和电流模式PWM控制器IC。 PWM控制器具有集成的固定振荡器,欠压锁定,前沿消隐,优化的栅极turn-on/turn-off驱动器,热关机保护,过电压保护,温度补偿用于环路补偿和故障精密电流源保护电路。相对于分立的MOSFET和控制器或RCC开关转换器解决方案,一个新时代功率开关(FPS)可以减少元件总数,设计尺寸,重量,并在同一时间的增加和效率,生产力和系统的可靠性。它有一个基本的平台非常适合于成本效益的设计在任何一个反激转换器

    2013-3-10
  • KA1L0365R-飞兆功率开关(FPS)

    说明 飞兆半导体的功率开关(FPS)产品系列是专门设计用于离线开关电源用最少的外部组件。飞兆半导体的功率开关(FPS)的组成高压值SenseFET和电流模式PWM控制器IC。 PWM控制器具有集成的固定振荡器,欠压锁定,前沿消隐,优化的栅极turn-on/turn-off驱动器,热关机保护,过电压保护,温度补偿用于环路补偿和故障精密电流源保护电路。相对于分立的MOSFET和控制器或RCC开关转换器解决方案,一个新时代功率开关(FPS)可以减少元件总数,设计尺寸,重量,并在同一时间的增加和效率,生产力和系统的可靠性。它有一个基本的平台非常适合于成本效益的设计在任何一个反激转换器

    2013-3-10
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    说明 飞兆半导体的功率开关(FPS)产品系列是专门设计用于离线开关电源用最少的外部组件。飞兆半导体的功率开关(FPS)的组成高压值SenseFET和电流模式PWM控制器IC。 PWM控制器具有集成的固定振荡器,欠压锁定,前沿消隐,优化的栅极turn-on/turn-off驱动器,热关机保护,过电压保护,温度补偿用于环路补偿和故障精密电流源保护电路和分立MOSFET相比控制器或RCC开关转换器解决方案的新时代功率开关(FPS)可以减少元件总数,设计尺寸,重量,并在同一时间的增加和效率,生产力和系统的可靠性。它有一个基本的平台非常适合于成本效益的设计在任何一个反激转换器或转发器

    2013-3-10