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MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ??

Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.8 mΩ (typ.) (2) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 60 V) (3) Enhancement mode: Vth = 3.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Applications • Switching Voltage Regulators

TOSHIBA

东芝

更新时间:2026-7-23 22:58:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
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TO220F
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