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K6R1016V1D-EC08SLASH10

64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.

GENERAL DESCRIPTION The K6R1004V1D is a 1,048,576-bit high-speed Static Random Access Memory organized as 262,144 words by 4 bits. The K6R1004V1D uses 4 common input and output lines and has an output enable pin which operates faster than address access time at read cycle. The device is fabricate

Samsung

三星

更新时间:2025-11-27 8:31:00
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