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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
K6F8016R6B | 512K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM 文件：157.24 Kbytes Page：9 Pages | Samsung 三星 |   | |
K6F8016R6B | 512K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM | Samsung 三星 | | |
512K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM 文件：157.24 Kbytes Page：9 Pages | Samsung 三星 | | ||
512K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM 文件：154.2 Kbytes Page：9 Pages | Samsung 三星 | | ||
512K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM 文件：154.2 Kbytes Page：9 Pages | Samsung 三星 | |
K6F8016R6B产品属性
- 类型
描述
- 型号
K6F8016R6B
- 制造商
SAMSUNG
- 制造商全称
Samsung semiconductor
- 功能描述
512K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SAMSUNG |
03+ |
BGA |
50 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
SEC |
23+ |
BGA |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
SAM |
23+ |
NA |
11077 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
SAMSUNG/三星 |
22+ |
TBGA |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
K6F8016R6D-FF70000 |
25+ |
1806 |
1806 |
||||
SAMSUNG |
2025+ |
TBGA |
3550 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
SAMSUNG/三星 |
2402+ |
BGA |
8324 |
原装正品!实单价优! |
|||
SEC |
22+ |
BGA48 |
5000 |
全新原装现货!自家库存! |
|||
SAMSUNG/三星 |
2023+ |
TBGA |
4800 |
专注全新正品,优势现货供应 |
|||
SAM |
24+ |
BGA48 |
13 |
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- K70100A
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2021-5-26K5-1658UN-01
商品目录 行程开关 电路结构 SPST-NO 作用力 20gf 额定电压 DC 12V (DC) 额定电流 50mA (DC) 开关功能 Off-Mom
2020-10-28K6R4016C1D-UI10 静态存储器芯片 进口原装现货。
K6R4016C1D-UI10 进口原装现货。
2020-10-20K6R1008C1D-UC15，K6R1008C1D-UI15，K6R1008V1B-TC10，K6R1008V1B-TC12，
K6R1008C1D-UC15，K6R1008C1D-UI15，K6R1008V1B-TC10，K6R1008V1B-TC12，
2020-2-24K6R4004C1C-JE12，K6R4004C1C-JE15，K6R4004C1C-JI10，K6R4004V1C-JI10，K6R4004C1B-TC，K6R4004V1C-JC10，K6R4004V1C-JC15，K6R4004V1C-JE10，K6R4004C1D-JE15，K6R4004CIC-TC
K6R4004C1C-JE12，K6R4004C1C-JE15，K6R4004C1C-JI10，K6R4004V1C-JI10，K6R4004C1B-TC，K6R4004V1C-JC10，K6R4004V1C-JC15，K6R4004V1C-JE10，K6R4004C1D-JE15，K6R4004CIC-TC
2020-1-1K521F13ACA-B060
K521F13ACA-B060
2019-11-4
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