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K6F2008V2E	256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM 文件：134.48 Kbytes Page：9 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
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K6F2008V2E-LF55	256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM 文件：134.48 Kbytes Page：9 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
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K6F2008V2E供应商更多...

更新时间：2026-8-3 11:20:00

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深圳飞弛宏科技有限公司	K6F2008V2E-LF70	SAMSUNG	26+	TSOP	20000	全新、原装	询价

K521H12ACH-B050
K521H12ACH-B050 HYNIX 2020+ BGA K524G2GACJ-B050 SKHYNIX 2020+ BGA K521F57ACM-A060 HYNIX 2020+ BGA K524F2HACA-B050 SKHYNIX 2020+ BGA K521H12ACB-B060 HYNIX 2020+ BGA K524G2GACI-BO50 HYNIX 2020+ BGA K521F57ACC-B050000 HYNIX 2020+ BGA PM8018 HYNIX 2020 BGA PM8015 SKHYNIX 2020 BGA EMMC08G-W325 S
2021-5-26
K5-1658UN-01
商品目录行程开关电路结构 SPST-NO 作用力 20gf 额定电压 DC 12V (DC) 额定电流 50mA (DC) 开关功能 Off-Mom
2020-10-28
K6R4016C1D-UI10 静态存储器芯片进口原装现货。
K6R4016C1D-UI10 进口原装现货。
2020-10-20
K6R1008C1D-UC15，K6R1008C1D-UI15，K6R1008V1B-TC10，K6R1008V1B-TC12，
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2020-2-24
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2020-1-1
K521F13ACA-B060
K521F13ACA-B060
2019-11-4