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K6F1616U6A	1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM 文件：160.59 Kbytes Page：9 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K6F1616U6A	1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K6F1616U6A-EF55	1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM 文件：160.59 Kbytes Page：9 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K6F1616U6A-EF70	1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM 文件：160.59 Kbytes Page：9 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K6F1616U6A-F	1M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM 文件：160.59 Kbytes Page：9 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K6F1616U6C	16Mb(1M x 16 bit) Low Power SRAM 文件：156.35 Kbytes Page：10 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K6F1616U6M	1M x 16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM 文件：176.37 Kbytes Page：9 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K6F1616U6M-F	1M x 16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM 文件：176.37 Kbytes Page：9 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG

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更新时间：2026-1-27 23:00:00

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K521H12ACH-B050
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2021-5-26
K5-1658UN-01
商品目录行程开关电路结构 SPST-NO 作用力 20gf 额定电压 DC 12V (DC) 额定电流 50mA (DC) 开关功能 Off-Mom
2020-10-28
K6R4016C1D-UI10 静态存储器芯片进口原装现货。
K6R4016C1D-UI10 进口原装现货。
2020-10-20
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2020-2-24
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2020-1-1
K521F13ACA-B060
K521F13ACA-B060
2019-11-4