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Switching Regulator Application

Switching Regulator Application • High-Speed switching • Small gate charge: Qg = 86 nC (typ.) • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 6.2 mΩ (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 120 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 75 V) • Enhancement-mode: V

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-28 20:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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