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PHK5NQ15T	TrenchMOS??standardlevelFET Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology. Productavailability: PHK5NQ15TinSOT96-1(SO8). Features ■Lowon-stateresistance ■Surfacemountpackage. Applications ■DC-DCprimarysideswitching ■Generalpurpose	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
PHK5NQ15T	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. Featuresandbenefits •Lowconduc	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
PHK5NQ15T	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET 1.Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 2.Featuresandbenefits •Lo	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
PHK5NQ15T	N-Channel150V(D-S)MOSFET 文件：989.39 Kbytes Page：9 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

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更新时间：2024-6-23 23:00:01

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2021-5-26
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商品目录行程开关电路结构SPST-NO 作用力20gf 额定电压DC12V(DC) 额定电流50mA(DC) 开关功能Off-Mom
2020-10-28
K6R4016C1D-UI10 静态存储器芯片进口原装现货。
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2019-11-4