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PHK5NQ15T	TrenchMOS??standard level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Product availability: PHK5NQ15T in SOT96-1 (SO8). Features ■ Low on-state resistance ■ Surface mount package. Applications ■ DC-DC primary side switching ■ General purpose	Philips 飞利浦	Philips
PHK5NQ15T	N-channel TrenchMOS standard level FET	ETC 知名厂家	ETC
PHK5NQ15T	N-channel TrenchMOS standard level FET 1. General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 2. Features and benefits • Lo	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHK5NQ15T	N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 文件：989.39 Kbytes Page：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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更新时间：2026-1-5 23:01:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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2021-5-26
K5-1658UN-01
商品目录行程开关电路结构 SPST-NO 作用力 20gf 额定电压 DC 12V (DC) 额定电流 50mA (DC) 开关功能 Off-Mom
2020-10-28
K6R4016C1D-UI10 静态存储器芯片进口原装现货。
K6R4016C1D-UI10 进口原装现货。
2020-10-20
K6R1008C1D-UC15，K6R1008C1D-UI15，K6R1008V1B-TC10，K6R1008V1B-TC12，
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2020-2-24
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2020-1-1
K521F13ACA-B060
K521F13ACA-B060
2019-11-4