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N-channelTrenchMOStransistor

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •Lowon-stateresistance •Fastswitching •Lowprofilesurfacemountpackage Applications:- •Motorandrelaydrivers •d.c.tod.c.converters

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •ExtremelyLowQgdforSwitchingLosses •100RgTested •100AvalancheTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-6-17 13:03:01
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