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K4T1G164QQ-HCE6

1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification

The 1Gb DDR2 SDRAM is organized as a 32Mbit x 4 I/Os x 8banks, 16Mbit x 8 I/Os x 8banks or 8Mbit x 16 I/Os x 8 banks device. This synchronous device achieves high speed double data-rate transfer rates of up to 800Mb/sec/pin (DDR2-800) for general applications. Key Features • JEDEC standard

Samsung

三星

K4T1G164QQ-HCE6产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4T1G164QQ-HCE6

  • 制造商

    Samsung SDI

  • 功能描述

    DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray

更新时间:2025-8-8 10:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG
24+
FBGA84
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全新原装正品,现货销售
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