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K4S561632E-TL60

256Mb E-die SDRAM Specification

GENERAL DESCRIPTION The K4S560432E / K4S560832E / K4S561632E is 268,435,456 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 16,777,216 words by 4 bits / 4 x 8,388,608 words by 8bits / 4 x 4,194,304 words by 16bits, fabricated with SAMSUNGs high performance CMOS technology. Synchronou

Samsung

三星

K4S561632E-TL60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4S561632E-TL60

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    256Mb E-die SDRAM Specification

更新时间:2025-11-20 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG/三星
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