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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
K4H560838E | DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8) 文件：214.45 Kbytes Page：24 Pages | Samsung 三星 |   | |
128Mb DDR SDRAM Features • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • Differential clock inputs(CK and CK) • DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition • MRS cycle with address key programs -. Read latency 2, 2.5 ( | Samsung 三星 | | ||
128Mb DDR SDRAM Features • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • Differential clock inputs(CK and CK) • DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition • MRS cycle with address key programs -. Read latency 2, 2.5 ( | Samsung 三星 | | ||
128Mb DDR SDRAM Features • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • Differential clock inputs(CK and CK) • DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition • MRS cycle with address key programs -. Read latency 2, 2.5 ( | Samsung 三星 | | ||
128Mb DDR SDRAM Features • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • Differential clock inputs(CK and CK) • DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition • MRS cycle with address key programs -. Read latency 2, 2.5 ( | Samsung 三星 | | ||
128Mb DDR SDRAM Features • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • Differential clock inputs(CK and CK) • DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition • MRS cycle with address key programs -. Read latency 2, 2.5 ( | Samsung 三星 | | ||
128Mb DDR SDRAM Features • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • Differential clock inputs(CK and CK) • DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition • MRS cycle with address key programs -. Read latency 2, 2.5 ( | Samsung 三星 | | ||
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) 文件：244.04 Kbytes Page：24 Pages | Samsung 三星 | | ||
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) 文件：244.04 Kbytes Page：24 Pages | Samsung 三星 | | ||
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) 文件：244.04 Kbytes Page：24 Pages | Samsung 三星 | | ||
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) 文件：244.04 Kbytes Page：24 Pages | Samsung 三星 | | ||
256Mb E-die DDR 400 SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) 文件：197.9 Kbytes Page：18 Pages | Samsung 三星 | | ||
256Mb E-die DDR 400 SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) 文件：197.9 Kbytes Page：18 Pages | Samsung 三星 | | ||
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II) 文件：214.82 Kbytes Page：24 Pages | Samsung 三星 | | ||
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DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8) 文件：214.45 Kbytes Page：24 Pages | Samsung 三星 | | ||
DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8) 文件：214.45 Kbytes Page：24 Pages | Samsung 三星 | | ||
DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8) 文件：214.45 Kbytes Page：24 Pages | Samsung 三星 | | ||
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) 文件：297.52 Kbytes Page：23 Pages | Samsung 三星 | | ||
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) | Samsung 三星 | | ||
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) 文件：297.75 Kbytes Page：23 Pages | Samsung 三星 | | ||
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) 文件：297.75 Kbytes Page：23 Pages | Samsung 三星 | |
K4H560838E产品属性
- 类型
描述
- 型号
K4H560838E
- 制造商
SAMSUNG
- 制造商全称
Samsung semiconductor
- 功能描述
DDR SDRAM 256Mb E-die(x4, x8)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SAMSUNG |
2016+ |
TSOP |
9000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
SAM |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
|||
SAMSUNG |
24+ |
TSOP |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
|||
SAMSUNG |
22+ |
TSOP |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
SAMSUNG |
23+ |
TSOP |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
SAMSUNG/三星 |
24+ |
TSOP |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
SAM |
2447 |
TSOP1 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
SAMSUNG |
23+ |
TSOP |
8000 |
只做原装现货 |
|||
SAMSUNG |
23+ |
TSOP |
7000 |
||||
SAMSUNG |
1923+ |
TSOP |
6000 |
只做原装特价 |
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- l100
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- K4N35
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- K4N31
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- K4N26
- K4N25H
- K4N25G
- K4N25A
- K4N25
- K4MDW62
- K4-LFCN
- K4H-BLD
- K4H560838E-NLB3
- K4H560838E-NLB0
- K4H560838E-NLA2
- K4H560838E-NCB3
- K4H560838E-NCB0
- K4H560838E-NCA2
- K4H560838E-NC/LB3
- K4H560838E-NC/LB0
- K4H560838E-NC/LA2
- K4H560838E-GLB3
- K4H560838E-GLB0
- K4H560838E-GLA2
- K4H560838E-GCCC
- K4H560838E-GCC4
- K4H560838E-GCB3
- K4H560838E-GCB0
- K4H560838E-GCA2
- K4H560838E-GC/LB3
- K4H560838E-GC/LB0
- K4H560838E-GC/LA2
- K4H560838D-TLB0
- K4H560838D-TLA2
- K4H560838D-TLA0
- K4H560838D-TCCC
- K4H560838D-TCC4
- K4H560838D-TCA2000
- K4H560838D-TCA2
- K4H560838D-TCA0
- K4H560838D-TC/LB3
- K4H560838D-TC/LB0
- K4H560838D-TC/LA2
- K4H560838D-TC/LA0
- K4H560838D-NC/LB3
- K4H560838D-NC/LB0
- K4H560838D-NC/LA2
- K4H560838D-NC/LA0
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2019-10-28
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- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
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- P80
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