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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
K4H560838E | DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8) 文件：214.45 Kbytes Page：24 Pages | SAMSUNG 三星 |   | |
128Mb DDR SDRAM Features • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • Differential clock inputs(CK and CK) • DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition • MRS cycle with address key programs -. Read latency 2, 2.5 ( | SAMSUNG 三星 | | ||
128Mb DDR SDRAM Features • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • Differential clock inputs(CK and CK) • DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition • MRS cycle with address key programs -. Read latency 2, 2.5 ( | SAMSUNG 三星 | | ||
128Mb DDR SDRAM Features • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • Differential clock inputs(CK and CK) • DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition • MRS cycle with address key programs -. Read latency 2, 2.5 ( | SAMSUNG 三星 | | ||
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128Mb DDR SDRAM Features • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • Differential clock inputs(CK and CK) • DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition • MRS cycle with address key programs -. Read latency 2, 2.5 ( | SAMSUNG 三星 | | ||
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) 文件：244.04 Kbytes Page：24 Pages | SAMSUNG 三星 | | ||
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256Mb E-die DDR 400 SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) 文件：197.9 Kbytes Page：18 Pages | SAMSUNG 三星 | | ||
256Mb E-die DDR 400 SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) 文件：197.9 Kbytes Page：18 Pages | SAMSUNG 三星 | | ||
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DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8) 文件：214.45 Kbytes Page：24 Pages | SAMSUNG 三星 | | ||
DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8) 文件：214.45 Kbytes Page：24 Pages | SAMSUNG 三星 | | ||
DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8) 文件：214.45 Kbytes Page：24 Pages | SAMSUNG 三星 | | ||
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) 文件：297.52 Kbytes Page：23 Pages | SAMSUNG 三星 | | ||
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) | SAMSUNG 三星 | | ||
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) 文件：297.75 Kbytes Page：23 Pages | SAMSUNG 三星 | | ||
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) 文件：297.75 Kbytes Page：23 Pages | SAMSUNG 三星 | |
K4H560838E产品属性
- 类型
描述
- 型号
K4H560838E
- 制造商
SAMSUNG
- 制造商全称
Samsung semiconductor
- 功能描述
DDR SDRAM 256Mb E-die(x4, x8)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SAMSUNG |
1923+ |
TSOP |
6000 |
只做原装特价 |
|||
SAMSUNG? |
24+ |
TSOP? |
5000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
SAM |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
|||
SEC |
04+ |
TSSOP |
2890 |
全新原装进口自己库存优势 |
|||
SEC |
17+ |
TSSOP |
9988 |
只做原装进口,自己库存 |
|||
SAMSUNG |
24+ |
TSOP |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
|||
SAMSUNG/三星 |
23+ |
TSOP |
5000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
|||
SAMSUNG |
23+24 |
TSOP |
29650 |
原装正品优势渠道价格合理.可开13%增值税发票 |
|||
SAMSUNG/三星 |
22+ |
TSOP |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
SAMSUNG |
2025+ |
TSOP |
3685 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
K4H560838E规格书下载地址
K4H560838E参数引脚图相关
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2019-10-28
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