型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
K4H511638G-LCSLASHLB3

512Mb G-die DDR SDRAM Specification

General Description The K4H510438G / K4H510838G / K4H511638G is 536,870,912 bits of double data rate synchronous DRAM organized as 4x 33,554,432 / 4x 16,777,216 / 4x 8,388,608 words by 4/8/16bits, fabricated with SAMSUNG′s high performance CMOS technology. Synchronous features with Data Strobe al

SAMSUNG

三星

更新时间:2026-2-2 13:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG/三星
24+
TSOP
20000
不忘初芯-只做原装正品
SAMSUNG/三星
24+
TSOP
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
SAMSUNG
2016+
TSOP66
2880
只做原装,假一罚十,公司优势内存型号!
SAMSUNG
TSOP66
320
正品原装--自家现货-实单可谈
SAMSUNG
26+
QFN40
86720
全新原装正品价格最实惠 假一赔百
SAMSUNG/三星
22+
TSOP
12245
现货,原厂原装假一罚十!
SAMSUNG/三星
2450+
TSOP66
9850
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
SAMSUNG/三星
19+
BGA
2000
只做原装,库存和价格请咨询为准
HYNIX
24+
BGA
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
SAMSUNG
22+
BGA
20000
公司只做原装 品质保障

K4H511638G-LCSLASHLB3芯片相关品牌

K4H511638G-LCSLASHLB3数据表相关新闻