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K4H510838M-TCA2

128Mb DDR SDRAM

Features • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • Differential clock inputs(CK and CK) • DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition • MRS cycle with address key programs -. Read latency 2, 2.5 (

Samsung

三星

K4H510838M-TCA2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4H510838M-TCA2

  • 制造商

    Samsung Electro-Mechanics

  • 功能描述

    64M X 8 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66

更新时间:2025-11-29 20:17:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG
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