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K4H510438E-TLB0

128MbDDRSDRAM

Features •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe(DQS) •Fourbanksoperation •Differentialclockinputs(CKandCK) •DLLalignsDQandDQStransitionwithCKtransition •MRScyclewithaddresskeyprograms -.Readlatency2,2.5(

SamsungSamsung Group

三星三星半导体

Samsung
更新时间:2024-6-25 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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