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K4H510438B-TCSLASHLA2

512Mb B-die DDR SDRAM Specification

Key Features • VDD : 2.5V ± 0.2V, VDDQ : 2.5V ± 0.2V for DDR266, 333 • VDD : 2.6V ± 0.1V, VDDQ : 2.6V ± 0.1V for DDR400 • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe [DQS] (x4,x8) & [L(U)DQS] (x16) • Four banks operation • Differential cl

SAMSUNG

三星

更新时间:2026-3-1 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG/三星
22+
TSSOP66
100000
代理渠道/只做原装/可含税
SAMSUNG/三星
2026+
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