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位置：首页 > IC中文资料第5686页 > K4E641612B

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
K4E641612B

4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

DESCRIPTION This is a family of 4,194,304 x 16 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional f

SAMSUNG

三星

K4E641612B

4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

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三星

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4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

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4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

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4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

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4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

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K4E641612B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4E641612B

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

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更新时间：2026-5-20 22:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
上海意淼电子科技有限公司
K4E151611C-JL60
SEC
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深圳市纳艾斯科技有限公司
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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