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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Fastreverserecoverytime:trr=145ns(typ.) (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.051Ω(typ.) byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (3)EasytocontrolGateswitching (4)Enhancementmode:Vth=3to4.5V(VDS=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
更新时间:2024-6-23 23:00:01
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TOSHIBA/东芝
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