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Isc N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • Switching Voltage Regulators • FEATURES • Low drain-source on-resistance: RDS(ON) =10.4mΩ (VGS = 10 V) • Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.3mA) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable ope

ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.55463 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTER

杜因特

更新时间:2025-12-26 23:01:01
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