| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
K1117 | Silicon N-Channel MOS Field Effect Transistor (MOS II.I) high-speed, high-current switching ○ For switching regulators . Low on-resistance. : RDS (ON)=0.95Ω (typical) High forward transmission admittance. | Y's|=4.0S (Standard) Ipss=300A (max) (VDs=600V) Low leakage current. Easy to handle, enhancement type. : Vth=1.5~3.5V(Vps=10V, Ip=1mA) | TOSHIBA 东芝 |   | |
K1117 | 2SK1117, K1117 / V dss = 600V | TOSHIBA 东芝 | | |
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-11-18
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