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Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3 package • High breakdown voltage • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For use in switching power supply applications and other inductive switching circuits

SAVANTIC

SI NPN POWER BJT

Description: Si NPN Power BJT, I(C) = 5 A to 9.9 A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max.)@IC= 4A • Colletor-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 350V(Min.) • Fast Switching Speed APPLICATIONS • Designed for use in off-line power supplies, high voltage inverters, switching regulators, ignition systems and de

ISC

无锡固电

Silicon NPN Power Transistors

文件:111.01 Kbytes Page:3 Pages

SAVANTIC

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package

文件:14.69 Kbytes Page:1 Pages

SEME-LAB

更新时间:2025-12-30 19:27:01
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    2020-10-20
  • JW5510深圳市光华微科技有限公司0755-83203002

    联系人:刘冬英 电话:0755-83203002 手机:18138231376、18806643356 QQ号:1546282226、微信号:18138231376 公司名称:深圳市光华微科技有限公司 公司地址:深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室

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