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POWERMOSFETP-CHANNEL(BVdss=-100V,Rds(on)=0.60ohm,Id=-4.0A)

REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET®TRANSISTORSTHRU-HOLE(100V,P-CHANNEL) TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:ver

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P-CHANNELENHANCEMENTMOSFET

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新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

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P-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS

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更新时间:2025-5-17 23:00:01
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