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N-CHANNEL POWER MOSFET

FEATURES • AVALANCHE ENERGY RATED • HERMETICALLY SEALED • DYNAMIC dv/dt RATING • SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

N-CHANNEL POWER MOSFET

FEATURES • AVALANCHE ENERGY RATED • HERMETICALLY SEALED • DYNAMIC dv/dt RATING • SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

SEME-LAB

POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=1.5A)

REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET® TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) The HEXFET®technology is the key to International Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on-stat

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N?밅HANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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SEME-LAB

Repetitive Avalanche Ratings

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更新时间:2025-10-24 14:26:01
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