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N-CHANNELPOWERMOSFET

FEATURES •AVALANCHEENERGYRATED •HERMETICALLYSEALED •DYNAMICdv/dtRATING •SIMPLEDRIVEREQUIREMENTS

SEME-LAB

Seme LAB

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N-CHANNELPOWERMOSFET

FEATURES •AVALANCHEENERGYRATED •HERMETICALLYSEALED •DYNAMICdv/dtRATING •SIMPLEDRIVEREQUIREMENTS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=500V,Rds(on)=3.0ohm,Id=1.5A)

REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET®TRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-205AF) TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stat

IRF

International Rectifier

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N?밅HANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

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RepetitiveAvalancheRatings

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International Rectifier

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更新时间:2025-7-28 23:00:01
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