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2N6303	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION: These power transistors are produced by PPCs DOUBLE DIFFUSED PLANAR process. This technology produces high voltage devices with excellent switching speeds, frequency response, gain linearity, saturation voltages, high current gain, and safe operating areas. They are intended for use	Microsemi 美高森美	Microsemi
2N6303	SI PNP POWER BJT 3 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 40, 60, 80 VOLTS 6 WATTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
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2N6303	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 文件：15.36 Kbytes Page：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB

JTX2N6303供应商更多...

更新时间：2025-10-30 15:51:01

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JST SM10B—HVMK—A连接器，10pin，3.5mm间距，5A电流，1000V VAC/VDC电压，耐3000V VAC。采用玻璃填充LCP材质，铜合金基材，锡镀层，-40℃~105℃工作温度，UL94V-0阻燃。适用于多种电子设备，性能稳定，性价比高。
2025-6-24
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JUWT1275MPD 超级电容/超级电容器 2.7volts 2.7Farads Radial
2023-4-28
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2021-9-27
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2020-9-7
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2019-9-12
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2019-2-26