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2N6287	DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Darlington Complementary Silicon Power Transistors . . . designed for general–purpose amplifier and low–frequency switching applications. • High DC Current Gain @ IC = 10 Adc — hFE = 2400 (Typ) — 2N6282, 2N6283, 2N6284 hFE = 4000 (Typ) — 2N6285, 2N6286, 2N6287 • Collector–Emitter Sustai	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6287	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Description The 2N6284 is an epitaxial-base NPN power transistor in monolithic Darlington configuration mounted in TO-3 metal case. It is inteded for general purpose amplifier and low frequency switching applications. The complementary PNP type is 2N6287. Features ■ Complementary transistors i	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N6287	DARLINGTON COPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS	boca 博卡	boca
2N6287	Darlington Complementary Silicon Power Transistors Darlington Complementary Silicon Power Transistors . . . designed for general–purpose amplifier and low–frequency switching applications. • High DC Current Gain @ IC = 10 Adc — hFE = 2400 (Typ) — 2N6282, 2N6283, 2N6284 hFE = 4000 (Typ) — 2N6285, 2N6286, 2N6287 • Collector–Emitter Sustai	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6287	PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR 文件：58.36 Kbytes Page：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi

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更新时间：2025-8-9 23:01:02

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JST SM10B—HVMK—A连接器，10pin，3.5mm间距，5A电流，1000V VAC/VDC电压，耐3000V VAC。采用玻璃填充LCP材质，铜合金基材，锡镀层，-40℃~105℃工作温度，UL94V-0阻燃。适用于多种电子设备，性能稳定，性价比高。
2025-6-24
JUWT1275MPD 超级电容/超级电容器
JUWT1275MPD 超级电容/超级电容器 2.7volts 2.7Farads Radial
2023-4-28
JW2ASN-DC5V
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2021-9-27
JST全新库存供应鸿裕兴电子有限公司 ZHR-11 连接器，互连器件 B2B-PH-K-S 矩形连接器 - 外壳 SM08B-SRSS-TB
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2020-9-7
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2019-9-12
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2019-2-26