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2N5880	Power Transistors Power Transistors	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N5880	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector saturation voltage • Complement to type 2N5881 2N5882 APPLICATIONS • For general-purpose power amplifier and switching applications	ISC 无锡固电	ISC
2N5880	COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS General-Purpose Power Amplifier and Switching Applications FEATURES: * Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(SAT) = 1.0V(Max.) @ IC = 7.0A * Execllent DC Current Gain - hFE = 10 ~ 100 @ IC = 6.0 A	boca 博卡	boca
2N5880	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS ... designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ● Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 60 Vdc(Min) - 2N5879, 2N5881 = 60 Vdc(Min) - 2N5880, 2N5882 ● DC Current Gain - hFE = 20	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5880	Silicon PNP Power Transistors 文件：114.83 Kbytes Page：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

JTX2N5880供应商更多...

更新时间：2025-12-20 17:00:01

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2025-6-24
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JUWT1275MPD 超级电容/超级电容器 2.7volts 2.7Farads Radial
2023-4-28
JW2ASN-DC5V
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2021-9-27
JST全新库存供应鸿裕兴电子有限公司 ZHR-11 连接器，互连器件 B2B-PH-K-S 矩形连接器 - 外壳 SM08B-SRSS-TB
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2020-9-7
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2019-9-12
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2019-2-26