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MOSFETP-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheAM3407usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. TheAM3407isavailableinSOT-23package. FEATURES VDS=-30V,ID=

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MOSFET-30VP-CHANNELENHANCEMENTMODE

DESCRIPTION VDS=-30V VGS=±20V ID(A)=-4.3A RDS(ON)=38mΩ(Typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=58mΩ(Typ.)@VGS=-4.5V TheAM3407AisavailableinSOT-23package. FEATURES ⚫AvailableinSOT-23package APPLICATION ⚫PortableEquipment ⚫PowerManagement ⚫LoadSwitch

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

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AITSEMI

-4.1A竊?30VP-CHANNELMOSFET

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KIAKIA Semiconductor Technology

可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

KIA

Heyco®PGandMetricThreadedPlugs

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海科

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更新时间:2025-5-16 23:00:01
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