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P -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

● General Description The TF060P03M combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package toprovideextremely low RDS(ON). ● Features Advance high cell density Trench technology Low RDS(ON) to minimize conductive loss Low Gate Charge for fast switching Low Thermal resist

TUOFENG

拓锋半导体

更新时间:2025-8-9 12:00:01
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