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JK6185

Resettable Fuse PTC

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HUAXINAN

华兴安

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -60V, -40A, RDS(ON) = 19mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 25mW @VGS = -4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -60V, -36A, RDS(ON) = 20mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RDS(ON) = 26mW @VGS = -4.5V. RoHS compliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -60V, -40A, RDS(ON) = 19mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 25mW @VGS = -4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -60V, -36A, RDS(ON) = 20mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RDS(ON) = 26mW @VGS = -4.5V. RoHS compliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

High-Speed USB and Audio DPDT Switch

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AOSMD

万国半导体

更新时间:2025-8-7 16:14:00
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