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型号	功能描述	生产厂家&企业
JCS1N60VC-O-V-N-B	N-CHANNELMOSFET 文件：714.23 Kbytes Page：11 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
1N60	GOLDBONDEDGERMANIUMDIODE GermaniumGlassDiode Features •GermaniumGlassDiode •RoHSCompliance	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
1N60	SiliconAvalancheDiodes-1500WattMetalAxialLeadedTransientVoltageSuppressors FEATURES •Hermeticallysealed •Breakdownvoltagerange6.8-200volts •Glasspassivatedjunction •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •100surgetested •-55°Cto+150°C •Bi-directional MAXIMUMRATING •PeakPulsePower(Ppk):15000Watts(10x1000µs)@25°C(seedi	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
1N60	SchottkyBarrierDiode Features 1.Highreliability 2.Lowreversecurrentandlowforwardvoltage Applications Lowcurrentrectificationandhighspeedswitching Construction Siliconepitaxialplanar	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司
1N60	JEDECDO-7PACKAGE JEDECDO-7PACKAGE	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
1N60	1.2Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC1N60isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpow	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司

JCS1N60V供应商更多...

更新时间：2024-6-5 15:38:00

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2019-9-12