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JCS110N07I

场效应晶体管/MOSFET-200V以下系列

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

HiPerFET Power MOSFETs

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Features • International standard packages • JEDECTO-264 AA,epoxymeet UL94V-0, flammability classification • Low RDS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilicon gate cell structure • Unclamped Inductive Switching

IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 110A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 70V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 6mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-31 11:10:00
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