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LOWLEVELZENERDIODESLOWCURRENT:250關A-LOWNOISE

1.PackageStyleDO-7 2.Vztolerance:±5 3.ForwardVoltage(VF)Maximum1.0Vdc (1N4614–1N4627IF=100mA;1N4099–1N4121IF=200mA) 4.NoiseDensitymeasuredfrom1000to3000Hz. 5.MILITARYSCREENINGAVAILABLE

KNOXKnox Semiconductor, Inc

Knox Semiconductor, Inc

KNOX

SILICON500mALOWNOISEZENERDIODES

•1N4099UR-1THRU1N4135UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWCURRENTOPERATIONAT250µA •METALLURGICALLYBONDED MAXIMUMRATINGS JunctionandStorageTemperature:-65°Cto+175°C DCPowerDissipation:50

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

500mWLOWNOISESILIONZENERDIODES

VOLTAGERANGE1.8to100Volts FEATURES *Zenervoltage1.8to100V *Lownoise *Lowreverseleakage

JGDJinan Gude Electronic Device

济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司

JGD

500mWLowNoiseZenerDiodes

Features •LowCurrentOperationat250µA •LowReverseLeakage •LowNoiseCharacteristics •MetallurgicallyBonded •Hightemperaturesolderingguaranteed:260˚C/10seconds •RoHSCompliant

TAITRON

TAITRON

TAITRON

LOWREVERSELEAKAGEANDLOWNOISECHARACTERISTICS

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MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
更新时间:2024-6-5 22:24:01
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